Квартиры в Зеленограде
Квартиры в Зеленограде
Текущий район: Все районы (сменить)

Личный кабинет

Вход в личный кабинет



[ Восстановление пароля ]


Блок рекламы (сдаётся)

 

 


Справочник

Агентства недвижимости

Административные учреждения

Банки

БТИ

Бытовое обслуживание

Бытовая техника

Грузовые перевозки

Жилищно-коммунальное хозяйство (ЖКХ)

Земельные участки

Инженерные службы

Инструменты

Капитальное строительство

Нотариус

Окна

Охрана и безопасность

Проектные организации

Прочие компании

Сантехника

Страхование


Статистика
  • Объявлений всего: 4035
  • Объявлений сегодня: 0
  • На модерации: 0
  • Опубликованы: 4035
  • Посетителей сегодня: 631
  • Посетителей всего: 859971
  • Переходов всего: 71740658
  • В блокноте: 0

«НИИ молекулярной электроники и завод Микрон»

Квартиры в Зеленограде / «НИИ молекулярной электроники и завод Микрон»

«НИИ молекулярной электроники и завод Микрон»

 

В 1964 г. — Приказом Государственного комитета по электронной технике СССР № 50 от 9 марта организован НИИ молекулярной электроники. 25 января 1965 г. — директором НИИМЭ назначен К. А. Валиев.

ОАО «НИИМЭ и Микрон» возглавляет академик РАН Г.Я. Красников.

Сегодня это самое крупное микроэлектронное предприятие в СНГ и Восточной Европе, обладающее современной научно-производственной базой и высококвалифицированным персоналом.

ОАО «НИИМЭ и Микрон» входит в состав ОАО «СИТРОНИКС», где является головным предприятием бизнес-направления «Микроэлектронные решения». В это бизнес-направление входят «Воронежский завод полупроводников», «Ситроникс Смарт Технологии», НИИ Точного Машиностроения. В «СИТРОНИКС Микроэлектронные Решения», работает около 3000 человек, из них на «Микроне» - 1600 чел. 37% сотрудников имеет высшее образование.

Стратегической целью является укрепление своих позиций на внутреннем рынке путем преодоления технологического отставания от мировых производителей и создание в России современного производства микросхем, способного обеспечить отечественных потребителей микроэлектроники и смарт-карт продукцией, отвечающей самым высоким требованиям. Многолетний опыт производства, высококвалифицированный технический персонал, собственный научный центр являются основой для дальнейшего развития производства микросхем и освоения новых технологий.

Предприятие имеет около 500 заказчиков в России и 100 за рубежом и на постоянной основе сотрудничает с более чем 50 отраслевых и академических НИИ и центров проектирования.

Производственная площадка и лабораторная база «Микрона» играют роль ядра, вокруг которого возрождается российская силиконовая долина.

История НИИ Молекулярной Электроники по годам:

1964 г. — Приказом Государственного комитета по электронной технике СССР № 50 от 9 марта организован НИИ молекулярной электроники. 25 января 1965 г. — директором НИИМЭ назначен К. А. Валиев.
На начало года в НИИМЭ работало 183 человека. Большинство сотрудников размещалось в общем зале завода «Элион».
На площадях завода «Компонент» организована и запущена первая линейка по выпуску бескорпусного планарного биполярного n-p-n транзистора.
В конце 1965 г. закончено строительство здания НИИМЭ площадью 25 тыс.кв.м.

1 февраля 1967 г. приказом Министра электронной промышленности СССР при НИИМЭ организован завод по производству интегральных схем «Микрон».

1966-1970 гг.

Объем производства НИИМЭ и «Микрон» в этот период составил 100 000 микросхем;

Впервые в стране разработаны и созданы:
- планарная технология арсенид-галлиевых микросхем;
- пластмассовый корпус ИС и пресскомпозиция;
- кристаллы ИС эмиттерно-связанной логики(ЭСЛ);
цифровые (транзисторно-транзисторной логики) и аналоговые ИС массового применения.

К 1970 г. изготовлено и поставлено различным отраслям более 3,5 млн. микросхем.

Изделия НИИМЭ освоены в Минске, Львове, Киеве, Риге, Вильнюсе, Баку, Тбилиси, Новосибирске, Павлово-Посаде, Фрязино, Саранске, Ленинграде, Москве (КБПМ, завод «Ангстрем»).

1971-1975 гг.

В 1971 г. сданы под монтаж все 4 секции завода «Микрон» площадью более 60 тыс. кв. м.; впервые в отрасли микросхемы серии 155 аттестованы на высшую категорию качества, присвоен «Знак качества», 1972 г.

Организован промышленный выпуск разработанных на предприятии логических цифровых ИС серий 100 и 500 с быстродействием 2 нс на вентиль, обеспечивших элементной базой:
— сверхбольшую ЭВМ «Эльбрус-2» и машины «Ряд», предназначенные для решения стратегических задач народного хозяйства, мировой экологии и обороны,
— единую систему ЭВМ, используемую в народном хозяйстве стран СЭВ,
— ЭВМ «Булат»- специальные машины оборонного назначения.

1976-1977гг.

В 1977 г. впервые в стране разработан комплект микропроцессорных БИС ТТЛ с диодами Шоттки; отработан первый отечественный техпроцесс изготовления ИС с изоляцией окислом («изопланар»)- основа производства биполярных ИС последующего поколения, 1977 г.; разработан и внедрен базовый технологический процесс изготовления ИС с применением ионного легирования; внедрены плазмохимические процессы в технологии изготовления ИС.

1978-1985гг.

Разработан универсальный быстродействующий микропроцессорный набор серии 1802, предназначенный для оборонной техники, в частности для комплексов ПВО; В 1980 г. заводом «Микрон» изготовлена 100-миллионная микросхема; осуществлены поставки интегральных микросхем для обеспечения программы «Марс-Венера»; начато производство КМОП запоминающих устройств с произвольной выборкой; на предприятии создано производство на основе отечественных чистых комнат.

1981-1985 гг.

Организован промышленный выпуск базовых матричных кристаллов БМК И-200 (0,75 нс на вентиль) и БМК И-300 (0,6 нс на вентиль) для отечественных ЭВМ, разработана одна из наиболее надежных серий – 533 для ракетного комплекса И-300, начато производство КМОП ЗУ с произвольной выборкой. Предприятием получено 500-е авторское свидетельство на изобретение. Указом Президиума Верховного Совета СССР от 12.04.1983 г. НИИМЭ и завод «Микрон» награжден орденом Трудового Красного Знамени за успешное заданий по созданию и производству Единой системы ЭВМ.

1986-1990 гг.

Выпущены первые ИС с программируемыми логическими матрицами серий 556 и 1556; организован промышленный выпуск базового матричного кристалла БМК-И-300Б с быстродействием 0,35 нс на вентиль,1500 вентилей на кристалле, в качестве элементной базы отечественных супер-ЭВМ;
разработана отечественная суперсовмещенная технология (ССТ) получения биполярных транзисторов с высокой степенью интеграции и быстродействием 0,15 нс на вентиль; Освоены первые схемы семейства PAL, телевизионные ИС.

1991-1995 гг.

Закончен монтаж чистой комнаты «ОЗОН-1» класса 10 на основе отечественных комплектующих, 1991г.; в 1991 г. разработан опытный образец цветного 100 мм жидкокристаллического дисплея; «Микрон» получил право самостоятельного выхода на зарубежные рынки,
начата серийная поставка кристаллов ИС для фирмы «Самсунг»;

Были изготовлены кристаллы 60К матричных микросхем, впервые изготовлены микросхемы КМОП ЗУПВ 256К и 8-бит микропроцессорного комплекта на арсениде галлия, организован выпуск цифровых микросхем на арсениде галлия (серия 6500), освоены биполярные статические ОЗУ 16К, ТТЛШ и 32 разрядные КМОП-микропроцессоры, разработаны и освоены быстродействующие ЦАП и АЦП 572 серии, получены образцы ЭСЛ матричных схем на 10.000 вентилей с быстродействием 0,15 нс на вентиль по самосовмещенной технологии (ССТ);

Учреждено первое совместное Российско-Австрийское предприятие по САПР «Microlab», совместное Российско-Китайское предприятие – ЗАО «Корона Семикондактор» для производства СБИС с разрешением 0,8 мкм, начата серийная поставка микросхем для фирмы «Самсунг», Южная Корея.
13 января 1994 г. Московская регистрационная палата зарегистрировала предприятие как акционерное общество открытого типа (ОАО) «НИИ молекулярной электроники и завод «Микрон»; Разработана технология изготовления БиКМОП ИС; создана элементная база современных БиКМОП ИС с использованием самосовмещенной технологии (защищено 7 патентами РФ).

1996-2000 гг.

Разработаны и освоены быстродействующие ЦАП и АЦП схемы 572 серии; освоено более 200 типов интегральных схем, ранее выпускавшихся на других предприятиях страны; построена новая чистая комната и начато производство ИС на пластинах кремния диаметром 150 мм., с проектными нормами 0,8 мкм; в 1999 г. получен международный сертификат компании Bureau Veritas Quality International на соответствие системы управления качеством согласно нормам ISO 9000;
в 2000 г. на базе Воронежского завода полупроводников создано ЗАО «ВЗПП-Микрон».

Создана элементная база современных БиКМОП ИС с использованием ССТ технологии (защищена 7 патентами РФ. Впервые в отрасли на СП «Корона» начато промышленное производство СБИС на пластинах кремния диаметром 150 мм с проектными нормами 0,8 мм. Предприятием с 1997 г. получено свыше 1280 авторских свидетельств и 30 патентов на изобретения, сформировавших основы твердотельной микроэлектроники.

В 2001 г. «НИИМЭ и Микрон» вошел в состав высокотехнологичного холдинга Концерн «Научный центр» (сейчас – Концерн «Sitronics»).
«НИИМЭ и Микрон» головное предприятия дивизиона «Микроэлектронные компоненты» Концерна «Sitronics»

2001-2005 гг.

Создан техпроцесс аттестации новых проектов микросхем с размером 0,5 мкм (с помощью элементов усиления) на фотошаблонах с фазовым сдвигом. Разработана самосовмещенная технология БиКМОП ИС с размерами эмиттера и базы биполярных транзисторов 0,35 - 0,18 мкм (защищена патентами РФ). Получены рубежные параметры при электрохимической планаризации рельефа структуры микросхем, обеспечено формирование многоуровневых межсоединений методом SOC (эмульситоны), создана технология изготовления структур КНИ (SOI) методами ионной имплантации O2 , N , H2 .


Постановлением Правительства РФ за достигнутые успехи ОАО «НИИМЭ и Микрон» присуждена премия Правительства РФ в области качества; в 2001 г. на «Первом Московском Международном салоне инноваций и инвестиций «Микрон» награжден двумя золотыми и двумя серебряными медалями за разработку новых технологических маршрутов; разработана конструкция, технология изготовления и созданы первые образцы микромеханического волоконно-оптического переключателя; в 2002 году «Микрон» первым среди промышленных предприятий страны вышел на фондовый рынок.

В 2005 году открыт новый Центр проектирования и цех по сборке компонентов для жидкокристаллических мониторов.

2006-2007 гг.

В марте 2006 года в рамках бизнес-направления «СИТРОНИКС Микроэлектронные решения» открыто производство SIM-карт.

В июле подписано соглашение с компанией STMicroelectronics о передаче «ОАО «НИИМЭ и Микрон» технологии производства микросхем с топологическим уровнем 0,18 мкм по технологии EEPROM.

В августе на «Микроне» запущено производство чип-модулей для контактных смарт-карт.

17 октября в ОАО «НИИМЭ и Микрон» под председательством Президента России Владимира Путина прошло заседание Совета при Президенте РФ по науке, технологиям и образованию.

В ноябре ОАО «НИИМЭ и Микрон» открыл правила проектирования микросхем по технологии 0,18 мкм EEPROM для российских дизайн-центров.

И наконец, в декабре 2006 года, «Микрон» приступил к освоению полного цикла производства RFID-билетов для транспорта и начал поставки билетов для Московского Метрополитена.

В апреле 2007 года ОАО «НИИМЭ и Микрон» совместно с Ассоциацией менеджеров России провели 1-ю Международную конференцию по микроэлектронике.

Так же, в апреле СИТРОНИКС Микроэлектронные решения стал членом международной ассоциации EUROSMART. Эта ассоциация представляет интересы производителей смарт-карт, полупроводников, терминалов и оборудования для интегрирования смарт-карточных систем, применяемых в самых разных сферах — электронные паспорта, платежные карты, медицинские карты, другие приложения.

В сентябре вступил в международную полупроводниковую торговую ассоциацию — FSA (Fabless Semiconductor Association), ныне преобразованную в GSA (Global Semiconductor Association).

12 декабря того же года ОАО «НИИМЭ и Микрон» открыл производство микросхем с топологическим уровнем 0,18 мкм EEPROM.

За прошедшие 45 лет работы трудового коллектива НИИ молекулярной электроники и завода «Микрон» в его научной школе было воспитано свыше 35 докторов и более 60 кандидатов наук, четверо из них в настоящее время являются действительными членами (академиками) РАН. Ряд из них в разное время руководили базовыми кафедрами МИЭТ. Ныне ОАО «НИИМЭ и Микрон» возглавляет академик РАН Г.Я. Красников, под его началом трудятся один член-корреспондент РАН, 10 докторов наук, 20 кандидатов наук.

Около 60 специалистов предприятия в разные годы были отмечены государственными и правительственными премиями в области науки и техники, двое из них стали лауреатами Ленинской премии. За трудовые успехи около 500 рабочих, инженерно-технических работников и служащих были отмечены правительственными наградами, в том числе один из них удостоен звания Герой Социалистического труда, один является полным кавалером орденов Трудовой Славы I, II и III степени, 9 человек награждены орденом Ленина.

Вернуться назад

Навигация

arrowКвартиры в Зеленограде
arrowРегистрация
arrowДобавить объявление

arrowДома Зеленограда
arrowНовости Зеленограда
arrowИстория Зеленограда
arrowПрогулка по городу
arrowКарта Зеленограда

arrowИдеи для ремонта
arrowИнформационный раздел

arrowО проекте
arrowБаннерная реклама


Рекламный блок

Облако тегов

XML feeds

 

Лента RSS

Лента RSS

 

К нам приходят по запросам : Квартиры в Зеленограде, недвижимость Зеленограда, Зеленоград недвижимость, снять квартиру в Зеленограде, квартиры в Зеленограде без посредников, снять квартиру в Зеленограде без посредников, куплю квартиру в Зеленограде, купить квартиру в Зеленограде, сдам квартиру в зеленограде, аренда квартир в Зеленограде, продажа квартир в Зеленограде, агентство недвижимости Зеленоград.

Квартиры в Зеленограде, недвижимость Зеленограда, Зеленоград недвижимость, снять квартиру в Зеленограде, квартиры в Зеленограде без посредников, снять квартиру в Зеленограде без посредников, куплю квартиру в Зеленограде, купить квартиру в Зеленограде, сдам квартиру в зеленограде, аренда квартир в Зеленограде, продажа квартир в Зеленограде, агентство недвижимости Зеленоград.

Квартиры в Зеленограде | | Скрипт доски объявлений