Квартиры в Зеленограде
Квартиры в Зеленограде
Текущий район: Все районы (сменить)

Личный кабинет

Вход в личный кабинет



[ Восстановление пароля ]


Натяжные потолки

Натяжные потолки в Зеленограде

 


Справочник

Агентства недвижимости

Административные учреждения

Банки

БТИ

Бытовое обслуживание

Бытовая техника

Грузовые перевозки

Жилищно-коммунальное хозяйство (ЖКХ)

Земельные участки

Инженерные службы

Инструменты

Капитальное строительство

Нотариус

Окна

Охрана и безопасность

Проектные организации

Прочие компании

Сантехника

Страхование


Статистика
  • Объявлений всего: 4208
  • Объявлений сегодня: 0
  • На модерации: 0
  • Опубликованы: 4208
  • Посетителей сегодня: 450
  • Посетителей всего: 730336
  • Переходов всего: 66395586
  • В блокноте: 0

«НИИ молекулярной электроники и завод Микрон»

Квартиры в Зеленограде / «НИИ молекулярной электроники и завод Микрон»

«НИИ молекулярной электроники и завод Микрон»

 

В 1964 г. — Приказом Государственного комитета по электронной технике СССР № 50 от 9 марта организован НИИ молекулярной электроники. 25 января 1965 г. — директором НИИМЭ назначен К. А. Валиев.

ОАО «НИИМЭ и Микрон» возглавляет академик РАН Г.Я. Красников.

Сегодня это самое крупное микроэлектронное предприятие в СНГ и Восточной Европе, обладающее современной научно-производственной базой и высококвалифицированным персоналом.

ОАО «НИИМЭ и Микрон» входит в состав ОАО «СИТРОНИКС», где является головным предприятием бизнес-направления «Микроэлектронные решения». В это бизнес-направление входят «Воронежский завод полупроводников», «Ситроникс Смарт Технологии», НИИ Точного Машиностроения. В «СИТРОНИКС Микроэлектронные Решения», работает около 3000 человек, из них на «Микроне» - 1600 чел. 37% сотрудников имеет высшее образование.

Стратегической целью является укрепление своих позиций на внутреннем рынке путем преодоления технологического отставания от мировых производителей и создание в России современного производства микросхем, способного обеспечить отечественных потребителей микроэлектроники и смарт-карт продукцией, отвечающей самым высоким требованиям. Многолетний опыт производства, высококвалифицированный технический персонал, собственный научный центр являются основой для дальнейшего развития производства микросхем и освоения новых технологий.

Предприятие имеет около 500 заказчиков в России и 100 за рубежом и на постоянной основе сотрудничает с более чем 50 отраслевых и академических НИИ и центров проектирования.

Производственная площадка и лабораторная база «Микрона» играют роль ядра, вокруг которого возрождается российская силиконовая долина.

История НИИ Молекулярной Электроники по годам:

1964 г. — Приказом Государственного комитета по электронной технике СССР № 50 от 9 марта организован НИИ молекулярной электроники. 25 января 1965 г. — директором НИИМЭ назначен К. А. Валиев.
На начало года в НИИМЭ работало 183 человека. Большинство сотрудников размещалось в общем зале завода «Элион».
На площадях завода «Компонент» организована и запущена первая линейка по выпуску бескорпусного планарного биполярного n-p-n транзистора.
В конце 1965 г. закончено строительство здания НИИМЭ площадью 25 тыс.кв.м.

1 февраля 1967 г. приказом Министра электронной промышленности СССР при НИИМЭ организован завод по производству интегральных схем «Микрон».

1966-1970 гг.

Объем производства НИИМЭ и «Микрон» в этот период составил 100 000 микросхем;

Впервые в стране разработаны и созданы:
- планарная технология арсенид-галлиевых микросхем;
- пластмассовый корпус ИС и пресскомпозиция;
- кристаллы ИС эмиттерно-связанной логики(ЭСЛ);
цифровые (транзисторно-транзисторной логики) и аналоговые ИС массового применения.

К 1970 г. изготовлено и поставлено различным отраслям более 3,5 млн. микросхем.

Изделия НИИМЭ освоены в Минске, Львове, Киеве, Риге, Вильнюсе, Баку, Тбилиси, Новосибирске, Павлово-Посаде, Фрязино, Саранске, Ленинграде, Москве (КБПМ, завод «Ангстрем»).

1971-1975 гг.

В 1971 г. сданы под монтаж все 4 секции завода «Микрон» площадью более 60 тыс. кв. м.; впервые в отрасли микросхемы серии 155 аттестованы на высшую категорию качества, присвоен «Знак качества», 1972 г.

Организован промышленный выпуск разработанных на предприятии логических цифровых ИС серий 100 и 500 с быстродействием 2 нс на вентиль, обеспечивших элементной базой:
— сверхбольшую ЭВМ «Эльбрус-2» и машины «Ряд», предназначенные для решения стратегических задач народного хозяйства, мировой экологии и обороны,
— единую систему ЭВМ, используемую в народном хозяйстве стран СЭВ,
— ЭВМ «Булат»- специальные машины оборонного назначения.

1976-1977гг.

В 1977 г. впервые в стране разработан комплект микропроцессорных БИС ТТЛ с диодами Шоттки; отработан первый отечественный техпроцесс изготовления ИС с изоляцией окислом («изопланар»)- основа производства биполярных ИС последующего поколения, 1977 г.; разработан и внедрен базовый технологический процесс изготовления ИС с применением ионного легирования; внедрены плазмохимические процессы в технологии изготовления ИС.

1978-1985гг.

Разработан универсальный быстродействующий микропроцессорный набор серии 1802, предназначенный для оборонной техники, в частности для комплексов ПВО; В 1980 г. заводом «Микрон» изготовлена 100-миллионная микросхема; осуществлены поставки интегральных микросхем для обеспечения программы «Марс-Венера»; начато производство КМОП запоминающих устройств с произвольной выборкой; на предприятии создано производство на основе отечественных чистых комнат.

1981-1985 гг.

Организован промышленный выпуск базовых матричных кристаллов БМК И-200 (0,75 нс на вентиль) и БМК И-300 (0,6 нс на вентиль) для отечественных ЭВМ, разработана одна из наиболее надежных серий – 533 для ракетного комплекса И-300, начато производство КМОП ЗУ с произвольной выборкой. Предприятием получено 500-е авторское свидетельство на изобретение. Указом Президиума Верховного Совета СССР от 12.04.1983 г. НИИМЭ и завод «Микрон» награжден орденом Трудового Красного Знамени за успешное заданий по созданию и производству Единой системы ЭВМ.

1986-1990 гг.

Выпущены первые ИС с программируемыми логическими матрицами серий 556 и 1556; организован промышленный выпуск базового матричного кристалла БМК-И-300Б с быстродействием 0,35 нс на вентиль,1500 вентилей на кристалле, в качестве элементной базы отечественных супер-ЭВМ;
разработана отечественная суперсовмещенная технология (ССТ) получения биполярных транзисторов с высокой степенью интеграции и быстродействием 0,15 нс на вентиль; Освоены первые схемы семейства PAL, телевизионные ИС.

1991-1995 гг.

Закончен монтаж чистой комнаты «ОЗОН-1» класса 10 на основе отечественных комплектующих, 1991г.; в 1991 г. разработан опытный образец цветного 100 мм жидкокристаллического дисплея; «Микрон» получил право самостоятельного выхода на зарубежные рынки,
начата серийная поставка кристаллов ИС для фирмы «Самсунг»;

Были изготовлены кристаллы 60К матричных микросхем, впервые изготовлены микросхемы КМОП ЗУПВ 256К и 8-бит микропроцессорного комплекта на арсениде галлия, организован выпуск цифровых микросхем на арсениде галлия (серия 6500), освоены биполярные статические ОЗУ 16К, ТТЛШ и 32 разрядные КМОП-микропроцессоры, разработаны и освоены быстродействующие ЦАП и АЦП 572 серии, получены образцы ЭСЛ матричных схем на 10.000 вентилей с быстродействием 0,15 нс на вентиль по самосовмещенной технологии (ССТ);

Учреждено первое совместное Российско-Австрийское предприятие по САПР «Microlab», совместное Российско-Китайское предприятие – ЗАО «Корона Семикондактор» для производства СБИС с разрешением 0,8 мкм, начата серийная поставка микросхем для фирмы «Самсунг», Южная Корея.
13 января 1994 г. Московская регистрационная палата зарегистрировала предприятие как акционерное общество открытого типа (ОАО) «НИИ молекулярной электроники и завод «Микрон»; Разработана технология изготовления БиКМОП ИС; создана элементная база современных БиКМОП ИС с использованием самосовмещенной технологии (защищено 7 патентами РФ).

1996-2000 гг.

Разработаны и освоены быстродействующие ЦАП и АЦП схемы 572 серии; освоено более 200 типов интегральных схем, ранее выпускавшихся на других предприятиях страны; построена новая чистая комната и начато производство ИС на пластинах кремния диаметром 150 мм., с проектными нормами 0,8 мкм; в 1999 г. получен международный сертификат компании Bureau Veritas Quality International на соответствие системы управления качеством согласно нормам ISO 9000;
в 2000 г. на базе Воронежского завода полупроводников создано ЗАО «ВЗПП-Микрон».

Создана элементная база современных БиКМОП ИС с использованием ССТ технологии (защищена 7 патентами РФ. Впервые в отрасли на СП «Корона» начато промышленное производство СБИС на пластинах кремния диаметром 150 мм с проектными нормами 0,8 мм. Предприятием с 1997 г. получено свыше 1280 авторских свидетельств и 30 патентов на изобретения, сформировавших основы твердотельной микроэлектроники.

В 2001 г. «НИИМЭ и Микрон» вошел в состав высокотехнологичного холдинга Концерн «Научный центр» (сейчас – Концерн «Sitronics»).
«НИИМЭ и Микрон» головное предприятия дивизиона «Микроэлектронные компоненты» Концерна «Sitronics»

2001-2005 гг.

Создан техпроцесс аттестации новых проектов микросхем с размером 0,5 мкм (с помощью элементов усиления) на фотошаблонах с фазовым сдвигом. Разработана самосовмещенная технология БиКМОП ИС с размерами эмиттера и базы биполярных транзисторов 0,35 - 0,18 мкм (защищена патентами РФ). Получены рубежные параметры при электрохимической планаризации рельефа структуры микросхем, обеспечено формирование многоуровневых межсоединений методом SOC (эмульситоны), создана технология изготовления структур КНИ (SOI) методами ионной имплантации O2 , N , H2 .


Постановлением Правительства РФ за достигнутые успехи ОАО «НИИМЭ и Микрон» присуждена премия Правительства РФ в области качества; в 2001 г. на «Первом Московском Международном салоне инноваций и инвестиций «Микрон» награжден двумя золотыми и двумя серебряными медалями за разработку новых технологических маршрутов; разработана конструкция, технология изготовления и созданы первые образцы микромеханического волоконно-оптического переключателя; в 2002 году «Микрон» первым среди промышленных предприятий страны вышел на фондовый рынок.

В 2005 году открыт новый Центр проектирования и цех по сборке компонентов для жидкокристаллических мониторов.

2006-2007 гг.

В марте 2006 года в рамках бизнес-направления «СИТРОНИКС Микроэлектронные решения» открыто производство SIM-карт.

В июле подписано соглашение с компанией STMicroelectronics о передаче «ОАО «НИИМЭ и Микрон» технологии производства микросхем с топологическим уровнем 0,18 мкм по технологии EEPROM.

В августе на «Микроне» запущено производство чип-модулей для контактных смарт-карт.

17 октября в ОАО «НИИМЭ и Микрон» под председательством Президента России Владимира Путина прошло заседание Совета при Президенте РФ по науке, технологиям и образованию.

В ноябре ОАО «НИИМЭ и Микрон» открыл правила проектирования микросхем по технологии 0,18 мкм EEPROM для российских дизайн-центров.

И наконец, в декабре 2006 года, «Микрон» приступил к освоению полного цикла производства RFID-билетов для транспорта и начал поставки билетов для Московского Метрополитена.

В апреле 2007 года ОАО «НИИМЭ и Микрон» совместно с Ассоциацией менеджеров России провели 1-ю Международную конференцию по микроэлектронике.

Так же, в апреле СИТРОНИКС Микроэлектронные решения стал членом международной ассоциации EUROSMART. Эта ассоциация представляет интересы производителей смарт-карт, полупроводников, терминалов и оборудования для интегрирования смарт-карточных систем, применяемых в самых разных сферах — электронные паспорта, платежные карты, медицинские карты, другие приложения.

В сентябре вступил в международную полупроводниковую торговую ассоциацию — FSA (Fabless Semiconductor Association), ныне преобразованную в GSA (Global Semiconductor Association).

12 декабря того же года ОАО «НИИМЭ и Микрон» открыл производство микросхем с топологическим уровнем 0,18 мкм EEPROM.

За прошедшие 45 лет работы трудового коллектива НИИ молекулярной электроники и завода «Микрон» в его научной школе было воспитано свыше 35 докторов и более 60 кандидатов наук, четверо из них в настоящее время являются действительными членами (академиками) РАН. Ряд из них в разное время руководили базовыми кафедрами МИЭТ. Ныне ОАО «НИИМЭ и Микрон» возглавляет академик РАН Г.Я. Красников, под его началом трудятся один член-корреспондент РАН, 10 докторов наук, 20 кандидатов наук.

Около 60 специалистов предприятия в разные годы были отмечены государственными и правительственными премиями в области науки и техники, двое из них стали лауреатами Ленинской премии. За трудовые успехи около 500 рабочих, инженерно-технических работников и служащих были отмечены правительственными наградами, в том числе один из них удостоен звания Герой Социалистического труда, один является полным кавалером орденов Трудовой Славы I, II и III степени, 9 человек награждены орденом Ленина.

Вернуться назад

Навигация

arrowКвартиры в Зеленограде
arrowРегистрация
arrowДобавить объявление

arrowДома Зеленограда
arrowНовости Зеленограда
arrowИстория Зеленограда
arrowПрогулка по городу
arrowКарта Зеленограда

arrowИдеи для ремонта
arrowИнформационный раздел

arrowО проекте
arrowБаннерная реклама


Типография в Зеленограде

Типография Сириус


Облако тегов

XML feeds

 

Лента RSS

Лента RSS

 

К нам приходят по запросам : Квартиры в Зеленограде, недвижимость Зеленограда, Зеленоград недвижимость, снять квартиру в Зеленограде, квартиры в Зеленограде без посредников, снять квартиру в Зеленограде без посредников, куплю квартиру в Зеленограде, купить квартиру в Зеленограде, сдам квартиру в зеленограде, аренда квартир в Зеленограде, продажа квартир в Зеленограде, агентство недвижимости Зеленоград.

Квартиры в Зеленограде, недвижимость Зеленограда, Зеленоград недвижимость, снять квартиру в Зеленограде, квартиры в Зеленограде без посредников, снять квартиру в Зеленограде без посредников, куплю квартиру в Зеленограде, купить квартиру в Зеленограде, сдам квартиру в зеленограде, аренда квартир в Зеленограде, продажа квартир в Зеленограде, агентство недвижимости Зеленоград.

Квартиры в Зеленограде | | Скрипт доски объявлений